[发明专利]用于沉积多晶硅的CVD装置

摘要

本发明公开了一种用于沉积多晶硅且不需要单独的后续退火工艺的CVD装置，该CVD装置包括：室，用于在基底上形成薄膜；喷头，位于室的上部，以将反应气体注入到基底上；分配器，形成有分配孔，用来均匀地分配反应气体；催化剂热丝单元，用来加热和分解通过分配器的分配孔注入的反应气体；卡盘，基底安装在其上；排放孔，用于排放反应气体；屏蔽墙，设置为室的侧墙，并形成有加热器，用来抑制颗粒产生。利用上述结构能将颗粒产生最小化，从而提高产量。同样，薄膜具有优良的结晶度以及其含氢量减小。

主权项

1、一种化学气相沉积装置，包括：室，具有墙；喷头，位于所述室的上部，并被构造为将反应气体注入到基底上；分配器，形成有分配孔，所述分配孔位于从所述喷头向所述室注入的所述反应气体的下游并且位于所述喷头和所述基底之间；催化剂热丝单元，被构造为加热并分解通过所述分配器的所述分配孔注入的所述反应气体；卡盘，位于所述室中的所述喷头和所述催化剂热丝单元的下方，在所述卡盘上安装所述基底；其中，所述室包括一个或者多个排放孔，设置所述排放孔以排放所述反应气体；屏蔽墙，作为所述室内的侧墙位于所述室的墙和所述卡盘之间。