[发明专利]一种易轴取向的FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200610078661.1 | 申请日： | 2006-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN1845242A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 贺淑莉;刘丽丽;彭印;王一红 | 申请（专利权）人： | 首都师范大学 |
| 主分类号： | G11B5/84 | 分类号： | G11B5/84;G11B5/852;H01F10/14;H01F10/16;H01F41/22 |
| 代理公司： | 北京诺孚尔知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 庞涛 |
| 地址： | 100037北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种易轴取向的FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜的制备方法，属于材料制备技术领域。该方法包括：1)制备晶粒为面心立方结构的FePt(M)或CoPt(M)薄膜，其中M为元素周期表中的C、P、B非金属元素之一或者熔点低于Fe元素熔点的Ag、Cu、Sn、Pb、Bi、Ga和In金属元素之一；2)将FePt(M)或CoPt(M)薄膜置于磁场中，磁场的方向垂直于薄膜表面，然后在磁场的作用下对薄膜进行激光热处理。应用本发明能使薄膜中的铁磁性晶粒的易磁化轴垂直于膜面排列。本发明具有工艺简单、过程容易控制的优点，并且可以使用熔点相对较低的玻璃作为薄膜的基底材料，既可节约成本，还可以保证使用FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜过程中所要求的膜面光洁度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 fept copt 垂直 记录 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种易轴取向的FePt、CoPt系垂直磁记录薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)制备晶粒为面心立方结构的FePt(M)或CoPt(M)薄膜，其中M为元素周期表中的C、P、B非金属元素之一或者熔点低于Fe元素熔点的Ag、Cu、Sn、Pb、Bi、Ga和In金属元素之一；2)将FePt(M)或CoPt(M)薄膜置于磁场中，磁场的方向垂直于薄膜表面，然后在磁场的作用下对薄膜进行激光热处理。
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