[发明专利]薄膜晶体管及使用其的液晶显示器件

摘要

本发明公开了一种其中形成有具有同心圆形状的源极和漏极的TFT，其减少了由于漏电流引起的截止电流并优化了导通电流以及栅极和源极之间的杂散电容。TFT包括在基板上形成的栅极；以及通过在栅极上顺序形成栅绝缘膜、本征非晶硅(I·a－Si:H)层、以及n+非晶硅(n+·a－Si:H)层而获得的源极和漏极，其中源极和漏极具有同心圆形状。源极和漏极其中之一设置在中心，并且具有同心圆形状的源极和漏极中的另一个围绕前一个。沟道区可以形成在源极和漏极之间；并且有效杂散电容的面积可以小于150μm²。沟道宽度与沟道长度的比可以大于4.5并且对有效杂散电容的填充能力指数可以小于50。

主权项

1、一种薄膜晶体管包括：在基板上形成的栅极；以及通过在栅极上顺序形成栅绝缘膜、本征非晶硅层、以及n+非晶硅层而获得的源极和漏极，其中源极和漏极具有同心圆形状，并且其中有效杂散电容的面积小于150μm2。