[发明专利]积层陶瓷电容器及其制造方法无效
| 申请号： | 200610079181.7 | 申请日： | 2006-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1877763A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 织茂宽和;千辉纪之;川村知荣 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/002;H01G4/12;H01G13/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;刘国伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可抑制绝缘劣化以提高寿命的积层陶瓷电容器。本发明的积层陶瓷电容器在介电层11a与内部电极层11b之间，存在将扩散相颗粒(第1颗粒G1及第2颗粒G2)以层状排列的扩散相颗粒层11c，因此即使构成介电层11a的颗粒G3中产生的氧缺陷朝向与内部电极层11b的介面转移，并蓄积在该介面附近所存在的颗粒G3中，由于扩散相颗粒层11c的存在，也可以防止电流集中流动于因氧缺陷引起电阻下降的部位，从而能够抑制会产生于积层陶瓷电容器的绝缘劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电容器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种积层陶瓷电容器，是具有介电层与内部电极层相互堆积的结构，其特征在于，在介电层与内部电极层之间，具有将扩散相颗粒以层状排列的扩散相颗粒层。
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