[发明专利]半导体器件及其制造的方法无效
| 申请号： | 200610079263.1 | 申请日： | 1995-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1855547A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造无沿台阶型薄膜晶体管(TFT)的方法，有效地减少寄生电容和使晶体管彼此隔离。把催化剂元素，例如是镍，加入对应TFT的源极/漏极区的区域中，或者形成催化剂元素的层或者催化剂元素的化合物的层。本征非晶硅膜形成在该区或者是催化剂元素或它的化合物的层上。该叠层结构高温退火，以向非晶硅扩散催化剂元素。在源极/漏极区的周围非晶硅膜选择性地结晶。结果，在其他的区产生了高电阻区。不产生沟道。该TFT可以彼此隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：形成于基板上的象素薄膜晶体管；所述象素薄膜晶体管包括：一对半导体区，所述一对半导体区的杂质类型选自N型或P型之一；本征半导体层，其具有位于所述一对半导体区之间的第一部分以及与所述一对半导体区中的一个半导体区接触的第二部分；栅绝缘膜，其邻近所述本征半导体层形成；和栅电极，其邻近所述栅绝缘膜形成；其中所述半导体层的所述第一部分包括非晶硅区，而所述第二部分包括晶硅区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610079263.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
