[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200610079300.9 | 申请日： | 2006-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN1855399A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 矶部敦生;村上智史;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/84;H01L21/768;H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了制造出高度可靠和小型的TFT，本发明的一个目的是提供一种制造形成具有高度可靠性的栅电极、源极布线和漏极布线的半导体器件的方法和半导体器件。在制造半导体器件的方法中，在具有绝缘表面的基板上形成半导体膜，在半导体膜上形成栅绝缘膜，在栅绝缘膜上形成栅电极，并通过使用高密度等离子体使栅电极表面氮化，在栅电极的表面上形成氮化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在具有绝缘表面的基板上形成半导体膜；在半导体膜上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成栅电极；以及通过用高密度等离子体使栅电极的表面氮化，在栅电极表面上形成氮化膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
