[发明专利]使用电子束的面下成像有效
| 申请号： | 200610079373.8 | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN1855365A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | P·D·卡勒森 | 申请（专利权）人： | FEI公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/68;H01L21/66;H01J37/304;H01J37/305 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏军 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种通过面下成像来定位或末端指示微观结构的方法，该面下成像使用具有足够能量的电子束以穿透表面并产生面下图像。对于末端指示来说，当该面下图像在已知的电子能量变得相对清楚时，使用者知道他正接近掩埋的特征。对定位来说，面下图像可以由基准点或其它特征形成，以便确定该器件上射束的位置。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电子束 成像 | ||
【主权项】：
1.一种使用离子束铣削和电子束成像来处理半导体器件的方法，包括：将聚焦离子束指向半导体器件以便铣削接近掩埋金属层的孔；将具有足够能量电子的电子束指向所述孔的底部，以便得到面下图像，并且收集从所述孔喷射出的电子以便通过至少0.1μm的硅观察所述金属层的面下图像；以及使用所述金属层的图像确定何时停止使用所述聚焦离子束的铣削。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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