[发明专利]薄膜晶体管及包括薄膜晶体管的平板显示器有效

专利信息
申请号: 200610079397.3 申请日: 2006-04-21
公开(公告)号: CN1862835A 公开(公告)日: 2006-11-15
发明(设计)人: 安泽;徐旼彻;具在本 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L27/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 杨凯;梁永
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 能减小泄露电流和能防止在相邻的TFT之间串扰的TFT包括:衬底;安置在衬底上的栅极电极;彼此分开并与栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极;以及与栅极电极绝缘的半导体层,接触源极和漏极电极的每一个,并且具有将在源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽。每个槽至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分,并且由至少经过与源极和漏极电极对应的半导体层的部分的每个槽投影到源极和漏极电极时而生成的投影图像覆盖除了面向漏极电极的源极电极的部分和面向源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。
搜索关键词: 薄膜晶体管 包括 平板 显示器
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管,即TFT,包含:衬底;布置在所述衬底上的栅极电极;彼此分开并与所述栅极电极绝缘的源极电极和漏极电极;以及与所述栅极电极绝缘的半导体层,接触所述源极和漏极电极的每一个,并且包括将在所述源极和漏极电极之间的半导体层的区域至少与相邻的TFT分开的槽;其中每个槽至少经过与所述源极和漏极电极对应的半导体层的部分,并且由至少经过与所述源极和漏极电极对应的所述半导体层的部分的每个槽投影到所述源极和漏极电极而生成的投影图像覆盖除了面向所述漏极电极的源极电极的部分和面向所述源极电极的漏极电极的部分以外的源极和漏极电极。
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