[发明专利]磁记录介质的制造无效
| 申请号： | 200610079469.4 | 申请日： | 2006-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN1858846A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 市原贵幸;本田好范 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/65 | 分类号： | G11B5/65 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨林森;谷惠敏 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 通过控制由大二氧化硅微粒的沉积造成的介质表面上的突起，所述大二氧化硅微粒是在包括Si和氧的粒状记录层的膜沉积期间产生的，以高产出的方式提供了具有极好飞行能力和耐蚀性的磁记录介质。使用由包括至少Co的合金和粉末状结晶SiO2的混合物组成的靶，通过溅射方法沉积记录层。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造磁记录介质的方法，包括：用于在非磁性基片之上形成非磁性底层的过程；用于通过溅射方法在所述非磁性底层之上形成包含至少Co、硅和氧的记录层的过程；其中，用于形成所述记录层的过程中使用的靶包含从Co和Co基合金中选择的至少一种以及粉末状二氧化硅，其中所述二氧化硅粉末是结晶体。
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