[发明专利]电子发射源及其制造方法无效
| 申请号： | 200610079489.1 | 申请日： | 2006-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1862749A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 仓知宏行;上村佐四郎 | 申请（专利权）人： | 诺利塔克股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;C01B31/02;C23C16/26;C23C16/06;H01J1/30;H01J29/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造电子发射源的方法包括第一至第三步骤。在第一步骤中，在反应炉中将由包含铁、镍、钴和铬中任一种的金属制成的阴极结构加热到第一温度，其中已经向所述反应炉中引入碳源气体，以通过化学气相沉积在阴极结构上形成多个第一碳纳米管。在第二步骤中，在阴极结构和多个第一碳纳米管中的至少一个上沉积充当阴极结构材料的金属，以形成催化剂金属层。在第三步骤中，在反应炉中将包括催化剂金属层的阴极结构加热到比第一温度高的第二温度，其中已经向反应炉中引入了碳源气体，以通过化学气相沉积在催化剂金属层上形成比第一碳纳米管细的多个第二碳纳米管。还公开了一种电子发射源。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 发射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造电子发射源的方法，其特征在于包括：第一步骤，在反应炉中将由包含铁、镍、钴和铬中任一种的金属制成的阴极结构(101)加热到第一温度，其中已经向所述反应炉中引入碳源气体，以通过化学气相沉积在所述阴极结构上形成多个第一碳纳米管(102)；第二步骤，在阴极结构和多个第一碳纳米管中的至少一个上沉积充当阴极结构材料的金属，以形成催化剂金属层(103)；以及第三步骤，在反应炉中将包括催化剂金属层的阴极结构加热到比第一温度高的第二温度，其中已经向反应炉中引入了碳源气体，以通过化学气相沉积在催化剂金属层上形成比第一碳纳米管细的多个第二碳纳米管(104)。
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