[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种具有接触插头的半导体器件的半导体器件制造方法，其中以从30到120keV的范围内的能量和从1.0×10¹³/cm²到5.0×10¹⁴/cm²的范围内的注入量，将铟离子注入由形成在半导体硅衬底表面上的高浓度N型扩散层的表面部分和层间绝缘膜形成的接触孔，以便在接触孔的底部、在高浓度N型扩散层的表面部分上生长含铟层。

主权项

1.一种半导体器件制造方法，包括以下步骤：(1)在半导体硅衬底的表面上形成高浓度N型扩散层；(2)在具有高浓度N型扩散层的半导体硅衬底上形成层间绝缘膜；(3)刻蚀层间绝缘膜的预定位置，以形成到达高浓度N型扩散层的接触孔；(4)通过接触孔，以从30到120keV的范围内的能量和从1.0×1013/cm2到5.0×1014/cm2的范围内的注入量，将铟离子注入高浓度N型扩散层的表面部分，以便在接触孔的底部生长含铟层；(5)在形成在接触孔底部的含铟层上形成金属硅化物层；(6)在层间绝缘膜的上表面和接触孔除了接触孔的底部以外的内表面上形成阻挡层；以及(7)在接触孔中形成接触插头。