[发明专利]金属薄膜微桥的制造方法及其力学特性测试方法无效

专利信息
申请号: 200610079742.3 申请日: 2004-04-29
公开(公告)号: CN1877290A 公开(公告)日: 2006-12-13
发明(设计)人: 周勇;杨春生;陈吉安;丁桂甫;王明军 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G01N3/42 分类号: G01N3/42;G06F19/00;B81B1/00;G01L1/00
代理公司: 上海交达专利事务所 代理人: 王锡麟;王桂忠
地址: 200240*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种金属薄膜微桥的制造方法及其力学特性测试方法,用于薄膜技术领域。方法如下:在微桥中心放置一刚性压条,保证在微桥中心位置施加一线性载荷,用纳米压痕仪进行微桥加载/卸载曲线测量,其压头为Berkovich三棱锥压头,采用微桥理论模型分析实验测得的加载和卸载曲线,得到薄膜的杨氏模量和残余应力。本发明具有以下有益的效果:在同一基片上可制备许多不同尺寸的微桥结构样品;避免了去除底层时对薄膜带来的伤害;保持了薄膜中原有的残余应力;避免了测试过程中样品的固定问题和消除了衬底的影响及压头与桥之间的滑动问题;采用纳米压痕仪测量载荷—位移曲线,并结合微桥理论模型可以方便地获得材料的基本力学特性如杨氏模量和残余应力。
搜索关键词: 金属 薄膜 制造 方法 及其 力学 特性 测试
【主权项】:
1、一种金属薄膜微桥的力学特性测试方法,其特征在于,在微桥中心放置一刚性压条,保证在微桥中心位置施加一线性载荷,用纳米压痕仪进行微桥加载/卸载曲线测量,其压头为Berkovich三棱锥压头,采用微桥理论模型分析实验测得的加载和卸载曲线,得到薄膜的杨氏模量和残余应力。
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