[发明专利]叠置半导体存储器件无效

专利信息
申请号: 200610079852.X 申请日: 2006-05-11
公开(公告)号: CN1862811A 公开(公告)日: 2006-11-15
发明(设计)人: S·穆夫;H·施勒特;S·拉胡拉姆;S·佐尔德耶维克 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份公司
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L25/18;H01L23/488;G11C5/02
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;陈景峻
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种叠置半导体存储器件(100)包括存储器件接触(101),以将叠置半导体存储器件向外连接至印刷电路板。在双重或四重叠置结构中,叠置半导体存储器件包括叠置于第二封装(120)上方的第一封装(110)。优选将第一和第二封装设计为FBGA封装,其每一个包括封装接触(111、121)。通过提供第一和第二柔性电路结构(130、140)将第一和第二封装(110、120)的封装接触(111、121)连接至存储器件接触(101),获得了对称的叠置封装结构。该对称的叠置封装结构可以以改善的信号完整性通过叠置半导体存储器件(100)和控制芯片(200)之间的印刷电路板的总线(400)传输信号,即使总线的频率或叠置半导体存储器的负载有所增加。
搜索关键词: 半导体 存储 器件
【主权项】:
1.一种叠置半导体存储器件,包括:存储器件接触(101),用于向外连接所述叠置半导体存储器件(100),第一封装(110),具有顶表面(T110)和底表面(B110),并包括设置在所述底表面(B110)处的至少一个第一封装接触(111),第二封装(120),具有顶表面(T120)和底表面(B120),并包括设置在所述第二封装的所述底表面(B120)处的至少一个第二封装接触(121),第一导电轨迹(133),第二导电轨迹(143),其中所述第一封装(110)叠置在所述第二封装(120)上方,其中所述第一封装接触(111)借助于所述第一导电轨迹(133)连接至所述存储器件接触(101),所述第二封装接触(121)借助于所述第二导电轨迹(143)连接至所述存储器件接触(101)。
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