[发明专利]易失性半导体存储器无效
| 申请号： | 200610079950.3 | 申请日： | 2006-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1862706A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行;松原宏行 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种易失性半导体存储器，包括检测存储单元故障的自检控制器、储存了表示故障存储单元地址的故障地址的地址储存器和刷新调节电路，其中该刷新调节电路将由故障地址指定的存储单元的刷新周期设定得比正常存储单元的刷新周期更短。 | ||
| 搜索关键词： | 易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种易失性半导体存储器，包括：检测存储单元故障的自检控制器；地址储存器，储存表示故障存储单元地址的故障地址；和刷新调节电路，将由该故障地址所指定的存储单元的刷新周期设定得比正常存储单元的刷新周期短。
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