[发明专利]湿蚀刻后的清洗方法及应用其的薄膜晶体管形成方法无效
| 申请号： | 200610080106.2 | 申请日： | 2006-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN1851885A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 张耿志;叶国光 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种清洗方法。首先，提供基板，基板包括一金属层；接着，湿蚀刻金属层使得金属层上具有一氧化物；然后，以一清洗液去除金属层上的氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 清洗 方法 应用 薄膜晶体管 形成 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的形成方法，包括：形成一第一金属层于一基板上；湿蚀刻该第一金属层，以形成一栅极，该栅极上具有一第一氧化物；形成一绝缘层于该栅极上；形成一有源层于该绝缘层上；形成一第二金属层于该有源层上；蚀刻该第二金属层，以形成一源极及一漏极，该源极及该漏极的至少一个上具有一第二氧化物；以及以一清洗液去除该第一氧化物及该第二氧化物的至少一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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