[发明专利]闪存器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失存储器件的制造方法。所述方法包括：在半导体衬底上方形成第一多晶硅膜；在第一多晶硅膜上方形成缓冲膜；在缓冲膜上方形成掩模膜；蚀刻掩模膜、缓冲膜和第一多晶硅膜来形成界定第一和第二浮置栅极的第一沟槽；在掩模膜上方形成层间膜，层间膜填充第一沟槽来形成垂直结构；各向异性蚀刻层间膜的垂直结构来形成第二和第三沟槽，第二沟槽设置于第一浮置栅极和蚀刻的垂直结构之间，第三沟槽设置于第二浮置栅极和蚀刻的垂直结构之间；在第一和第二浮置栅极以及垂直结构上方形成介质膜，介质膜覆盖第二和第三沟槽的侧壁；以及在介质膜上方形成控制栅极层，控制栅极层填充第一和第二沟槽。

主权项

1、一种闪存器件的制造方法，所述方法包括：(a)在半导体衬底上方形成第一和第二多晶硅膜，所述第一多晶硅膜和第二多晶硅膜具有条形式且在第一方向上排列；(b)顺序形成缓冲膜和掩模膜；(c)在第二方向上构图所述掩模膜、缓冲膜以及第一多晶硅膜和第二多晶硅膜，由此形成具有岛形状的浮置栅极，且使得所述缓冲膜和掩模膜保留为在第二方向上排列的条图案；(d)在所述缓冲膜和掩模膜上方形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜具有在包括所述缓冲膜和掩模膜的条图案之间延伸的垂直结构；(e)去除所述掩模膜来暴露所述层间绝缘膜的垂直结构的上部；(f)蚀刻所述暴露的层间绝缘膜的垂直结构的上部；(g)各向异性蚀刻所述层间绝缘膜的垂直结构，以形成将所述垂直结构从所述浮置栅极隔离的沟槽，从而每个垂直结构与将所述垂直结构从相邻的浮置栅极隔离的第一沟槽和第二沟槽相关；(h)在所述浮置栅极和垂直结构上方形成层间介质膜，所述层间介质膜延伸入所述沟槽并覆盖沟槽的侧壁；以及(i)在所述层间介质膜上方形成控制栅极层，所述控制栅极层填充所述沟槽。