[发明专利]图案形成方法以及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200610080276.0 | 申请日： | 2006-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1862386A | 公开（公告）日： | 2006-11-15 |
| 发明（设计）人： | 伊藤信一;松永健太郎;河村大辅;大西廉伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种图案的形成方法，其包括：在被加工膜上形成感光性树脂膜；通过涂布法在上述感光性树脂薄膜上形成用于保护上述感光性树脂薄膜的保护膜；通过浸渍液对上述感光性树脂膜的部分区域选择性地进行液浸曝光，将上述浸渍液提供到上述感光性树脂薄膜上；在形成上述保护膜后，且在对上述感光性树脂薄膜的部分区域进行选择性曝光之前，从上述保护膜除去对上述浸渍液具有亲和性部位的残留物质；除去上述保护膜；以及，通过选择性地除去上述感光性树脂膜的曝光区域或者非曝光区域，形成由上述感光性树脂薄膜构成的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种图案的形成方法，其包括：在被加工膜上形成感光性树脂膜；通过涂布法在上述感光性树脂薄膜上形成用于保护上述感光性树脂薄膜的保护膜；通过浸渍液对上述感光性树脂膜的部分区域选择性地进行液浸曝光，将上述浸渍液提供到上述感光性树脂薄膜上；在形成上述保护膜后，且在对上述感光性树脂薄膜的部分区域进行选择性液浸曝光之前，从上述保护膜除去对上述浸渍液具有亲和性部位的残留物质；除去上述保护膜；以及，通过选择性地除去上述感光性树脂膜的曝光区域或者非曝光区域，形成由上述感光性树脂薄膜构成的图案。
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