[发明专利]形成氮掺杂单壁碳纳米管的方法无效
| 申请号： | 200610080305.3 | 申请日： | 2006-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN1994875A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 裵恩珠;闵约赛;朴玩濬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 宋莉;贾静环 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了形成氮掺杂单壁纳米管的方法。所述方法包括：在基底上形成催化剂金属层；将具有所述催化剂金属层的所述基底加入到反应室中；在所述反应室中形成H2O等离子体气氛；和通过将碳前体和氮前体供给到所述反应室中在所述催化剂金属层上形成氮掺杂碳纳米管，其中在所述反应室中于所述H2O等离子体气氛下所述前体间发生了化学反应。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 掺杂 单壁碳 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成氮掺杂单壁纳米管(SWNT)的方法，该方法包括：在基底上形成催化剂金属层；将具有所述催化剂金属层的所述基底装入反应室中；在所述反应室中形成H2O等离子体气氛；和通过将碳前体和氮前体供给到所述反应室中在所述催化剂金属层上形成氮掺杂碳纳米管，其中在所述反应室中于所述H2O等离子体气氛下所述前体间发生化学反应。
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