[发明专利]化学机械研磨用水系分散体及研磨方法、调制用的试剂盒无效
| 申请号： | 200610080578.8 | 申请日： | 2006-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1881539A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 内仓和一;金野智久;川桥信夫;服部雅幸 | 申请（专利权）人： | JSR株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苗堃;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供化学机械研磨用水系分散体及采用该水系分散体的化学机械研磨方法，以及用于调制化学机械研磨用水系分散体的试剂盒。所述化学机械研磨用水系分散体含有(A)成分：无机粒子、(B)成分：选自有机粒子及有机无机复合粒子中的至少1种粒子、(C)成分：选自喹啉羧酸、喹啉酸、2元有机酸(但喹啉酸除外)及羟基酸中的至少1种酸、(D)成分：选自苯并三唑及其衍生物中的至少1种、(E)成分：氧化剂以及(F)成分：水，其中，上述(A)成分的配合量为0.05～2.0质量％，上述(B)成分的配合量为0.005～1.5质量％，上述(A)成分的配合量(WA)与上述(B)成分的配合量(WB)的比(WA/WB)为0.1～200，而且pH值为1～5。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 水系 散体 方法 调制 试剂盒 | ||
【主权项】：
1、化学机械研磨用水系分散体，其含有(A)成分：无机粒子、(B)成分：选自有机粒子及有机无机复合粒子中的至少1种、(C)成分：选自喹啉羧酸、喹啉酸、除喹啉酸以外的2元有机酸及羟基酸中的至少1种、(D)成分：选自苯并三唑及其衍生物中的至少1种、(E)成分：氧化剂、(F)成分：水，其中，所述(A)成分的配合量为0.05～2.0质量％，所述(B)成分的配合量为0.005～1.5质量％，所述(A)成分的配合量WA与所述(B)成分的配合量WB的比WA/WB为0.1～200，而且pH值为1～5。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
