[发明专利]磁阻元件、磁头、磁存储装置以及磁内存装置无效
| 申请号： | 200610080850.2 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1976081A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 城后新;大岛弘敬;指宿隆弘;清水丰;涡卷拓也 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39;G11B5/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开磁阻元件、磁头、磁存储装置以及磁内存装置。CPP型磁阻元件包括防扩散层以及叠置的固定磁化层、非磁性金属层和自由磁化层。该自由磁化层包含CoMnAl。该防扩散层设置在该非磁性金属层与该自由磁化层之间，以防止该自由磁化层内含有的Mn扩散到该非磁性金属层。CoMnAl具有在三元成分图中通过用直线依次连接点A(44，23，33)、点B(48，25，27)、点C(60，20，20)、点D(65，15，20)、点E(65，10，25)、点F(60，10，30)以及点A构成的区域内的成分，在该三元成分图中，将成分坐标表示为(Co含量，Mn含量，Al含量)，且Co含量、Mn含量、Al含量均以原子百分比来表示。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 元件 磁头 存储 装置 以及 内存 | ||
【主权项】：
1.一种CPP型磁阻元件，包括：叠置的固定磁化层、非磁性金属层和自由磁化层；以及防扩散层；其中：该自由磁化层包含CoMnAl；该防扩散层设置在该非磁性金属层与该自由磁化层之间，以防止该自由磁化层内含有的Mn扩散到该非磁性金属层；以及所述CoMnAl具有在三元成分图中通过用直线依次连接第一点(44，23，33)、第二点(48，25，27)、第三点(60，20，20)、第四点(65，15，20)、第五点(65，10，25)、第六点(60，10，30)以及该第一点构成的区域内的成分，在该三元成分图中，将成分坐标表示为(Co含量，Mn含量，Al含量)，且所述Co含量、Mn含量和Al含量均以原子百分比来表示。
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