[发明专利]快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路有效
| 申请号： | 200610080985.9 | 申请日： | 2006-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101078707A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 杨海钢;李策 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电子学研究所 |
| 主分类号： | G01N27/403 | 分类号： | G01N27/403;G01N27/27;G01N33/48 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种快速稳定的互补金属氧化物半导体(CMOS)恒电位仪电路，涉及生化传感器技术，包括运算放大器、偏置电源、两个微电极和NMOS管，一个单刀双掷开关、一个稳压电容以及一个控制开关状态的数字逻辑电路，其中，偏置电源的正端和传感器的一个微电极分别接运算放大器的正、反向输入端，偏置电源的负端和另外一个微电极共同接地电平；NMOS管的栅极接运算放大器的输出端，源极接运算放大器的反向输入端，漏极作为恒电位仪的输出端；稳压电容一端接地电平，另一端接单刀双掷开关；单刀双掷开关的两个状态分别接到了运算放大器的正、反向输入端，数字逻辑电路负责控制开关的打向。本发明使恒电位仪输出端点输出一个更接近理想的恒流源。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 稳定 互补 金属 氧化物 半导体 电位 电路 | ||
【主权项】：
1、一种快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路，包括运算放大器、偏置电源、两个微电极和NMOS管；其特征在于，还包括一个单刀双掷开关、一个稳压电容以及一个控制开关状态的数字逻辑电路，其中，偏置电源的正端和传感器的一个微电极分别接运算放大器的正、反向输入端，偏置电源的负端和另外一个微电极共同接地电平；NMOS管的栅极接运算放大器的输出端，源极接运算放大器的反向输入端，漏极作为恒电位仪的输出端；稳压电容一端接地电平，另一端接单刀双掷开关；单刀双掷开关的两个状态分别接到了运算放大器的正、反向输入端，数字逻辑电路负责控制开关的打向。
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