[发明专利]铁电体层的制造方法及电子设备的制造方法有效
| 申请号： | 200610081030.5 | 申请日： | 2006-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1873926A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 木岛健 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电体层的制造方法，在例如层叠型铁电电容器的铁电体层的制造方法中，可得到具有良好定向性的铁电体层。铁电体层的制造方法包括：利用气相法在基体的上方形成第一铁电体层(22)的工序；以及利用液相法在第一铁电体层(22)的上方形成第二铁电体层(24)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电体 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种铁电体层的制造方法，包括：利用气相法在基体的上方形成第一铁电体层的工序；以及利用液相法在所述第一铁电体层的上方形成第二铁电体层的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
