[发明专利]一种线型纳米碳管复合场发射源及其制备方法和专用装置有效
| 申请号： | 200610081052.1 | 申请日： | 2006-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1877774A | 公开（公告）日： | 2006-12-13 |
| 发明（设计）人： | 冯孙齐 | 申请（专利权）人： | 北京汉纳源纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02;C01B31/00;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高存秀 |
| 地址： | 100102北京市朝阳区望*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种线型纳米碳管复合场发射源及其制备方法和专用装置，该发射源包括一导电纤维编织绳衬底，其上沉积有单壁或多壁纳米碳管膜。该复合场发射源的制备方法包括纤维编织绳的表面预处理，以及利用自通电热解CVD方法在纤维编织绳上生长单壁或多壁纳米碳管。因此，这种复合场发射源的长度不受限制。本发明的纳米碳管复合场发射源是线型的，可用于制备具有不含汞、能耗小、无频闪和亮度高的管式纳米碳管场发射发光灯。该装置既能用于制备纳米碳管复合场发射源，也能进行场发射特性和发光特性的原位测试，甚至能边生长纳米碳管，边观察它的场发射。该装置是纳米碳管场发射灯的实验室原型，它的结构和制备工艺简单，易于推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 线型 纳米 复合 发射 及其 制备 方法 专用 装置 | ||
【主权项】：
1.一种线型纳米碳管复合场发射源，包括衬底和纳米碳管，其特征在于，所述衬底为导电纤维编织绳：所述导电纤维编织绳的直径和长度分别为0.5-3mm和10-180cm，所述导电纤维编织绳中的纤维直径为0.5-20μm；所述纳米碳管包括直径和长度分别为0.7-2.2nm和1-50μm的单壁纳米碳管，以及直径和长度分别为540nm和1-50μm的多壁纳米碳管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京汉纳源纳米科技有限公司，未经北京汉纳源纳米科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610081052.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
