[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法，包括：提供半导体衬底，在该半导体衬底上已限定了多个晶体管；在晶体管之上形成布线图案，该布线图案接触至少一个晶体管；在布线图案之上沉积第一氧化物膜；在氧化物膜上限定第一接触孔，该第一接触孔暴露了布线图案；在氧化物膜之上形成具有第一阻挡金属层、第一金属层以及第二阻挡金属层的下金属层；该下金属层填充第一接触孔；在下金属层之上形成接触孔停止传导层；在接触孔停止传导层之沉积上第二氧化物膜；蚀刻第二氧化物膜的所选部分，以形成暴露接触孔停止传导层的孔；蚀刻暴露的接触孔停止层以限定第二接触孔；在第二接触孔内形成接触塞，该接触塞接触下金属层；以及形成包括第三阻挡金属层和第二金属层的上金属层，该上金属层接触接触塞。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上已限定了多个晶体管；在所述晶体管之上形成布线图案，所述布线图案耦合到至少一个晶体管；在所述布线图案之上沉积层间电介质(ILD)膜；在所述ILD膜中限定第一接触孔，所述第一接触孔暴露所述布线图案的一部分；形成包括第一阻挡金属层、第一金属层以及第二阻挡金属层的下金属层，所述下金属层经由所述第一接触孔接触所述布线图案；在所述下金属层之上形成接触孔停止传导层；图案化所述接触孔停止传导层和所述下金属层，以限定一个或更多的通孔；在所述接触孔停止传导层之上沉积金属间电介质(IMD)膜，所述IMD膜填充一个或更多的通孔；使用第一蚀刻步骤蚀刻所述IMD膜的所选部分，所述第一蚀刻步骤基本上暴露所述接触孔停止传导层并去除所述接触孔停止传导层的一部分，从而提供了具有减小厚度的接触孔停止传导层；使用第二蚀刻步骤蚀刻减小厚度的所述接触孔停止传导层，直到暴露所述第二阻挡金属层，从而限定第二接触孔；在所述第二接触孔内形成接触塞，所述接触塞接触所述下金属层的上表面；以及在所述接触塞和所述IMD膜之上形成上金属层，所述上金属层接触所述接触塞的上表面。