[发明专利]薄膜晶体管的制造方法、电光学装置以及电子机器

摘要

本发明提供一种简化制造工序并提高生产率的TFT的制造方法。该方法具备：在基板(P)上，通过聚硅氮烷液形成与栅电极(80)的形成区域对应的第1围堰的前体(BP1)的工序；在前体(BP1)上的规定位置，通过用液滴喷出法配置聚硅氮烷而形成与源电极及漏电极的形成区域对应的第2围堰的前体(BP2)的工序；同时对前体(BP1)和前体(BP2)进行烘焙处理，同时形成以聚硅氧烷为骨架的无机质层构成的第1围堰(B1)和第2围堰(B2)的工序；在由前体(BP1)或第1围堰(B1)划分的区域形成栅电极(80)的工序；在栅电极的正上部隔着绝缘膜形成半导体层的工序；在被第2围堰划分的区域形成源电极及漏电极的工序。

主权项

1、一种薄膜晶体管的制造方法，在基板上形成栅电极、半导体层、与该半导体层连接的源电极以及漏电极，其具备下述工序：在所述基板上，通过聚硅氮烷液、聚硅烷液或者聚硅氧烷液的任一种形成与所述栅电极的形成区域对应的第1围堰的前体的工序；在所述第1围堰的前体上的规定位置，用液滴喷出法配置聚硅氮烷液、聚硅烷液或者聚硅氧烷液的任一种而形成与所述源电极以及漏电极的形成区域相对应的第2围堰的前体的工序；同时对所述第1围堰的前体和第2围堰的前体进行烘焙处理，同时形成以聚硅氧烷为骨架的无机质层构成的第1围堰和第2围堰的工序；在通过所述第1围堰的前体或者由此形成的第1围堰划分的区域上，用液滴喷出法配置含有导电性材料的功能液，形成栅电极的工序；在通过所述第2围堰划分的区域内的所述栅电极的正上部，介由绝缘膜形成半导体层的工序；和在通过所述第2围堰划分的区域上，用液滴喷出法配置含有导电性材料的功能液，形成与所述半导体层连接的源电极以及漏电极的工序。