[发明专利]开放漏极驱动器及包括该开放漏极驱动器的开关电路有效
| 申请号： | 200610081774.7 | 申请日： | 2006-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1866740A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 约翰·J·奥多奈尔;迈克尔·C·W·科尔恩;玛丽亚·D·M·C·马蒂 | 申请（专利权）人： | 阿纳洛格装置公司 |
| 主分类号： | H03K17/08 | 分类号： | H03K17/08;H03K17/687 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种开放漏极驱动器(7)选择地将无源地保持在导通状态的MOSFET开关(MN1)切换到非导通状态。该MOSFET开关(MN1)将主输入端(3)上的AC模拟输入信号切换到主输出端(4)，并且MOSFET开关(MN1)的栅极通过电容器(C1)与其漏极AC耦合。该开放漏极驱动器(7)包括第一MOSFET(MN2)和第二MOSFET(MN3)，通过它，将MOSFET开关(MN1)的栅极拉引到地(Vss)。第一MOSFET(MN2)的栅极与电源电压(VDD)耦合，用于将第一MOSFET(MN2)保持在开放状态。向第二MOSFET(MN3)的栅极施加控制信号，用于选择地使开放漏极驱动器(7)工作处于导通状态，从而使MOSFET(MN3)工作处于非导通状态。当第二MOSFET(MN3)处于非导通状态时，第一MOSFET(MN2)保持在导通状态，直到第一和第二MOSFET(MN2，MN3)之间的耦合节点上的电压等于其栅极电压与其阈值电压之差为止，并且施加给MOSFET开关(MN1)的栅极的任何过电压都被第一和第二MOSFET(MN2，MN3)分压。 | ||
| 搜索关键词： | 开放 驱动器 包括 开关电路 | ||
【主权项】：
1.一种开放漏极驱动器，包括：第一晶体管，其具有源极，与驱动器的输出节点耦合的漏极，和与偏置电压节点耦合的栅极，该偏置电压节点接收偏置电压，用于使第一晶体管保持导通状态，同时使其栅极与源之间的电压差大于或等于第一晶体管的阈值电压，第二晶体管，其具有通过耦合节点与第一晶体管的源极耦合的漏极，与用于接收开关电压的开关电压节点耦合的源极，和与控制节点耦合的栅极，该控制节点用于接收控制信号，以便操作第二晶体管选择地和交替地处于非导通状态和导通状态，其中当第二晶体管处于非导通状态时，使得输出节点处于高阻抗状态，处于导通状态时，使得在第一晶体管处于导通状态时，将开关电压节点上的开关电压施加到输出节点，和耦合元件，其将耦合节点耦合到参考电压节点上，该参考电压节点用于接收参考电压，从而在第二晶体管处于非导通状态时，限制耦合节点上的电压，使得施加给第二晶体管的漏-源电压处于第二晶体管的可靠性极限之内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿纳洛格装置公司，未经阿纳洛格装置公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610081774.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
