[发明专利]氮化物系化合物半导体和化合物半导体的清洗方法、这些半导体的制造方法及基板无效
| 申请号： | 200610081873.5 | 申请日： | 2006-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1866476A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 八乡昭广;西浦隆幸 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种抑制杂质或微粒等异物附着在化合物半导体表面的清洗方法和制造方法。本发明的氮化物系化合物半导体的清洗方法，包括：准备氮化物系化合物半导体的工序(基板准备工序(S10))、和清洗工序(S20)。在清洗工序(S20)中，基于pH值为7.1以上的清洗液对氮化物系化合物半导体进行清洗。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 化合物 半导体 清洗 方法 这些 制造 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物系化合物半导体的清洗方法，包括：准备氮化物系化合物半导体(9)的工序(S10)；和基于PH值为7.1以上的清洗液(11)，对所述氮化物系化合物半导体(9)进行清洗的清洗工序(S20)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
