[发明专利]经位线屏蔽而改善电荷保持的半导体存储装置无效
申请号: | 200610081951.1 | 申请日: | 2006-05-11 |
公开(公告)号: | CN1897281A | 公开(公告)日: | 2007-01-17 |
发明(设计)人: | R·怀斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L23/522;H01L21/8242;H01L21/768 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 杨凯;魏军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及具有用于驱动包含存储电容的选择晶体管的位线(1)的半导体存储装置。运用导电屏蔽构件(5)在相邻位线(1)之间的屏蔽导致位线-位线耦合的减小,使得即使在不使用要占用芯片面积的例如位线绞合的技木时也能够改善电荷保持时间。 | ||
搜索关键词: | 经位线 屏蔽 改善 电荷 保持 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体存储装置,设有:多个位线,它们相互靠近地排列,并在半导体衬底上延伸;绝缘结构,该结构至少侧向地邻接所述位线;形成在相互靠近地排列的两个位线之间的各导电屏蔽构件,所述导电屏蔽构件离位线一定距离,并且至少部分地邻接所述绝缘结构,其中,形成所述导电屏蔽构件,实现如下两种状态中的至少一种:包含比所述位线的下侧离所述半导体衬底近的下侧和包含比所述位线的上侧离所述半导体衬底远的上侧。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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