[发明专利]围堰构造、布线图案形成方法、设备、电光学装置及电子机器无效
申请号: | 200610082408.3 | 申请日: | 2006-05-16 |
公开(公告)号: | CN1866519A | 公开(公告)日: | 2006-11-22 |
发明(设计)人: | 守屋克之;平井利充 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L23/522;H01L21/768;H01L21/288;H01L21/02;H05B33/12;H05B33/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供在具有宽度不同的区域的图案形成区域中配置功能液之时,消除了所形成的膜图案之间的膜厚差的围堰构造体、膜图案形成方法、设备、电光学装置及电子机器。本发明的围堰构造是将功能液所配置并流动的图案形成区域(P)利用围堰(34)划分的围堰构造(1)。图案形成区域(P)由第一图案形成区域(56)、与该第一图案形成区域(56)连续并且与该第一图案形成区域(56)相比宽度更大的第二图案形成区域(55)构成,在第二图案形成区域(55)中,设有至少一个分隔该第二图案形成区域(55)而限制功能液的流动方向的分隔围堰(34a),与由该分隔围堰(34a)限制的功能液的流动方向大致正交的方向的分隔宽度(H)被制成在第一图案形成区域(56)的宽度(H2)的±20%以内。 | ||
搜索关键词: | 围堰 构造 布线 图案 形成 方法 设备 光学 装置 电子 机器 | ||
【主权项】:
1.一种围堰构造体,是利用围堰对配置功能液并流动的图案形成区域进行划分的围堰构造,其特征在于,所述图案形成区域由第一图案形成区域、与该第一图案形成区域连接并且宽度比该第一图案形成区域大的第二图案形成区域构成,在所述第二图案形成区域,设有至少一个分隔该第二图案形成区域而限制所述功能液的流动方向的分隔围堰,与由该分隔围堰限制的所述功能液的流动方向大致正交的方向的分隔宽度,在所述第一图案形成区域的宽度的±20%以内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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