[发明专利]半导体光传感器

摘要

以低成本提供能够得到比现有的半导体光传感器更接近相对可见度特性的光谱灵敏度特性的半导体光传感器。具备对大致从400μm到1100μm区域的波长具有高的光谱灵敏度的半导体受光元件和把在遮断红外区域波长的光的同时，使波长在可见光区域的光透过而能够从半导体受光元件得到光电流的量的微粒子分散在透明树脂内的光透过树脂。另外，在半导体受光元件的受光面上配备聚光构造。

主权项

1、一种半导体光传感器，包含至少对从可见光区域到红外区域的波长具有光谱灵敏度的半导体受光元件以及密封该半导体受光元件的至少受光面一侧的光透过树脂，其特征在于：上述光透过树脂在透明树脂内分散有以下两种粒子中的一种或两种：从La、Pr、Nd、Ce、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo或者W内选择出的1种或者2种或2种以上的元素的硼化物且其粒子直径不超过100nm的微粒子；或者Ru或Ir的一方或者双方的元素的氧化物且其粒子直径不超过100nm的微粒子。