[发明专利]薄膜晶体管的制造方法

摘要

本发明提供了形状比传统情况更容易控制的圆形薄膜晶体管的制造方法，同时该方法通过诸如液滴释放方法的无掩模方法形成圆形薄膜晶体管而简化了步骤并且降低了制造时间和成本。在本发明中，通过诸如液滴释放方法的无掩模方法，在衬底的上方堆叠同心圆形薄膜来形成具有圆形电极的圆形薄膜晶体管。另外，通过诸如液滴释放方法的无掩模方法，可以通过在衬底的上方堆叠同心圆形薄膜来形成具有圆形半导体层的圆形薄膜晶体管。

主权项

1.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：通过液滴释放方法在衬底的一部分的上方形成第一绝缘层；通过液滴释放方法在该第一绝缘层的上方形成第一液体排斥层；通过液滴释放方法在衬底的一部分的上方形成与第一绝缘层接触的第一导电层；通过液滴释放方法在该第一液体排斥层和第一导电层的一部分的上方形成第二液体排斥层；通过液滴释放方法在该第一导电层和衬底的上方形成与该第二液体排斥层接触的第二绝缘层；去除该第一液体排斥层和该第二液体排斥层，并且在该第一绝缘层的一部分的上方形成第三液体排斥层；在该第一导电层和该第二绝缘层的一部分的上方形成与该第一绝缘层和该第三液体排斥层接触的第二导电层；去除该第三液体排斥层，并且通过液滴释放方法在该第一绝缘层、该第二导电层和该第二绝缘层的上方形成第三绝缘层；在该第三绝缘层的上方形成第一半导体层；在该第一半导体层的上方形成赋予一种导电类型的第二半导体层；通过液滴释放方法在该第二半导体层的一部分的上方形成第一掩模；通过使用该第一掩模蚀刻该第一半导体层和该第二半导体层而形成第三半导体层和第四半导体层；去除第一掩模，并且在该第四半导体层的一部分的上方形成第三导电层；在该第三导电层和第四半导体层的一部分的上方形成第四液体排斥层；通过液滴释放方法在该第四半导体层和第三绝缘层的一部分的上方形成与该第三半导体层和第四液体排斥层接触的第四导电层；通过液滴释放方法在第三绝缘层的一部分的上方形成与第四导电层接触的第五导电层；去除第四液体排斥层，并且通过使用第三导电层和第四导电层作为掩模蚀刻第三半导体层和第四半导体层的一部分，形成第五半导体层和第六半导体层；通过液滴释放方法在第三导电层的上方形成第五液体排斥层；通过液滴释放方法在第三绝缘层、第四导电层、第五导电层和第五半导体层的上方形成与第五液体排斥层接触的第四绝缘层；以及去除第五液体排斥层，并且通过液滴释放方法形成与第三导电层和第四绝缘层接触的第六导电层。