[发明专利]固态成像器件及其制造方法

摘要

在(a)沿用于隔离像素单元的沟槽表面形成的缺陷控制层和(a)光电二极管之间的边界的部分中形成反型层。缺陷控制层为P型，光电二极管和反型层为N型。这里，反型层中的杂质浓度是光电二极管中杂质浓度的至少两倍。

主权项

1.一种固态成像器件，包括：半导体衬底；和第一导电类型的阱，该阱形成在半导体衬底中并由沟槽分为多个像素单元，以将像素单元彼此隔离，该沟槽在平面图中形成网格图案，并且每个像素单元具有电荷积聚区、表面区、高浓度区和边界区，其中电荷积聚区为第二导电类型，表面区为第一导电类型，位于像素单元表面和电荷积聚区之间，且接触电荷积聚区，高浓度区为第一导电类型，通过添加第一导电类型的杂质而成为高浓度，且沿沟槽表面定位，并且边界区为第二导电类型，接触高浓度区、表面区和电荷积聚区，并将高浓度区与电荷积聚区分开，边界区中的杂质浓度高于电荷积聚区中的杂质浓度。