[发明专利]像素传感器及其形成方法

摘要

一种在第一导电类型的衬底上形成的新颖的像素传感器结构包括第二导电类型的光敏器件和第一导电类型的表面钉扎层。邻近光敏器件和钉扎层形成隔离结构。隔离结构包括掺杂剂区，所述掺杂剂区包括沿隔离结构侧壁选择性形成的第一导电类型的材料，它适用于将表面钉扎层电连接到下面的衬底。相应的用于形成沿隔离结构侧壁选择性形成的掺杂剂区的方法包括外扩散工艺，其中沿隔离结构中的选择的部分形成的掺杂材料层中存在的掺杂剂材料在退火期间被驱进下面的衬底。作为选择，或者结合，可以通过首先制造光致抗蚀剂层并接着通过除去拐角或其拐角部分减小其尺寸，实施隔离结构侧壁中的掺杂剂材料的倾斜离子注入，光致抗蚀剂层可以阻挡倾斜注入材料。

主权项

1.一种像素传感器单元结构，包括：第一导电类型的衬底；第二导电类型的收集阱层，在衬底表面之下形成；所述第一导电类型的钉扎层，在所述衬底表面处在所述收集阱层顶部形成，以及隔离结构，具有第一和第二侧壁，其中第一侧壁与所述钉扎层和收集阱层相邻形成；以及掺杂剂区，包括所述第一导电类型的材料，沿所述隔离结构的所述第一侧壁选择性形成，以使所述掺杂剂区将所述钉扎层电连接到所述衬底。