[发明专利]应力引入间隔层

摘要

受张力和/或压缩力的衬底提高了在其中制造的器件性能。可以通过选择设置在器件沟道区上的栅极侧壁间隔层的适当材料而在衬底上施加张力和/或压缩力，其中间隔层与栅极和衬底相邻地形成，并施加力在相邻的衬底区域上。另一实施例包括使用通过氧化膨胀的多晶硅制成的SOI侧壁间隔层在沟道的平面中施加压缩应力。压缩力或张力下的衬底区域显示出与没有受应力的衬底不同的电荷迁移率特性。通过可控制地改变形成在衬底上的NFET和PFET内的这些应力，已经被证明可以提高IC性能。

主权项

1.一种IC芯片，在其上形成有多个SOI区，该SOI区具有纵向延伸的侧面和横向延伸的端部，该SOI区的一部分包括：形成在该SOI区的所述部分的端部上的层，该层在该SOI区的所述部分纵向引入机械应力。