[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610082690.5 申请日: 2006-05-12
公开(公告)号: CN1862804A 公开(公告)日: 2006-11-15
发明(设计)人: 坂仓真之;山崎舜平 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L27/32
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 张雪梅;王忠忠
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供在相邻象素之间的绝缘膜被称为堤坝、隔板、势垒、堤防等,并被提供在薄膜晶体管的源布线或漏布线或电源线上方。确切地说,在提供于不同层中的这些布线的交叉部分处,形成了比其它部分更大的台阶。即使在用涂敷方法形成相邻象素之间的绝缘膜的情况下,也由于这种台阶而存在着局部形成薄的部分从而降低承受压力的问题。在本发明中,模拟材料被安置在大台阶部分附近,确切地说是各布线的交叉部分周围,以便减小其上形成的不平坦性。上部布线和下部布线以不对准的方式被安置,以便不对准端部。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,它包含:绝缘表面上的第一布线、第二布线以及导电层;覆盖第一布线、第二布线以及导电层的第一绝缘层;第一绝缘层上的电极,其中电极与第二布线相接触;以及覆盖电极、第一绝缘层、第一布线、第二布线以及导电层的第二绝缘层,其中,第一布线、第二布线以及导电层包含相同的材料,且其中,电极被提供在导电层与第一布线之间。
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