[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

由湿蚀刻工序产生的基底氧化膜(12)的后退给沟槽(14)中的上部边缘(141)的形状变化带来影响。从而，基底氧化膜(12)的厚度也很重要而谋求最佳化。另外，在使沟槽(14)内的表面氧化之时，通过在超过1000℃的温度下使其氧化，进一步，通过由该氧化工序在高温下实施退火工序，而使应力缓和。另外为了提高面内均一性且在可进行控制的程度下使预氧化膜(16)薄膜化。在完全去除预氧化膜(16)之时，露出沟槽(14)上部边缘(141)的圆弧形状的表面。由此，增大沟槽(14)上边缘部的硅的供给。从而提供一种即使在能动部端部上，也能够确保栅极氧化膜所要的厚度，并得到良好的耐压的半导体装置的制造方法及半导体装置。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，包括：包含硅半导体基板中的第1导电型的阱区域上而形成基底氧化膜的工序；在所述基底氧化膜上形成氮化膜的工序；选择性地蚀刻所述氮化膜及基底氧化膜而形成掩模图案的工序；根据所述掩模图案蚀刻所述半导体基板，而形成沟槽的工序；使所述基底氧化膜的边缘部后退的湿蚀刻工序；通过一千零数十℃的干氧化气氛使所述沟槽内的表面氧化的工序；以比所述氧化的工序高的温度进行的退火工序；在所述沟槽内埋入绝缘膜的工序；使所述绝缘膜平坦化的工序；去除所述掩模图案的工序；去除所述基底氧化膜的残膜的工序；在所述半导体基板上形成预氧化膜的工序；在所述第1导电型区域上形成跨过所述绝缘膜的深度的第2导电型的杂质区域的工序；以去除所述预氧化膜并且露出所述沟槽上部的圆弧形状的表面的方式进行蚀刻的工序；以使边缘部侧从所述第2导电型的杂质区域边缘部上一直配置到所述绝缘膜边缘部上的方式，在所述第1导电型区域上形成栅极绝缘膜的工序；和在所述栅极绝缘膜上形成栅电极的工序。