[发明专利]导电腔传感器无效
| 申请号： | 200610083008.4 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1940526A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 米哈伊尔·M·西加拉斯;蒂路玛拉·R·兰格纳斯 | 申请（专利权）人： | 安捷伦科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N15/00 | 分类号： | G01N15/00;G01N21/17;G01N23/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王怡 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用导电腔传感器可以对粒子含量或单个粒子进行检测。导电腔传感器包括电介质包围的导电杆的二维周期性晶格，周期性晶格中的缺陷用作感测用容腔。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种导电腔传感器结构(110、180)，包括：用于输入电磁辐射的介质波导(125、325、425)；以及由电介质包围的导电杆(120)的二维周期性晶格(199)，所述导电杆(120)的二维周期性晶格(199)包括晶格常数和缺陷区域(129)，能够从所述介质波导(125、325、425)接收所述电磁辐射，并在工作波长处将所述电磁辐射限制在所述缺陷区域(129)中。
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