[发明专利]白光发射器件有效
| 申请号： | 200610083100.0 | 申请日： | 2006-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1874017A | 公开（公告）日： | 2006-12-06 |
| 发明（设计）人： | 金敏浩;小池正好;闵庚瀷;赵明洙 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及使用晶片结合或金属结合的单片白光发射器件。在本发明中，设置了导电底座衬底。第一发光体通过金属层结合到导电底座衬底上。在第一发光体中，由底到顶依次层叠了p型氮化物半导体层、第一有源层、n型氮化物半导体层、和导电衬底。另外，第二发光体形成在导电衬底的部分区域上。在第二发光体中，由底到顶依次层叠了p型基于AlGaInP的半导体层、有源层和n型基于AlGaInP的半导体层。另外，p电极形成在导电底座衬底的底面上，以及n电极形成在n型基于AlGaInP的半导体层的上表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 白光 发射 器件 | ||
【主权项】：
1.一种白光发射器件，包括：导电底座衬底；第一发光体，通过金属层结合在底座衬底上，所述第一发光体包括由底到顶依次层叠的p型氮化物半导体层、第一有源层、n型氮化物半导体层、和导电衬底；第二发光体，形成在导电衬底的部分区域上，所述第二发光体包括由底到顶依次层叠的p型基于AlGaInP的半导体层、第二有源层、和n型基于AlGaInP的半导体层；以及p电极，形成在所述导电底座衬底的底面上；以及n电极，形成在所述n型基于AlGaInP的半导体层的顶面上。
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