[发明专利]半导体晶片及由该半导体晶片形成的半导体器件有效
| 申请号： | 200610083514.3 | 申请日： | 2006-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN1897266A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 大角卓史 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶片及由该半导体晶片形成的半导体器件，即使半导体晶片的保护层上形成的槽的纵横比大于等于0.5，也可以防止在形成再布线时的抗蚀膜上发生破损。半导体晶片包括：形成有集成电路的多个有源区；设置在相邻的有源区之间的分割区；形成在有源区的边缘部上的密封环；靠近密封环的内侧形成的布线；覆盖有源区的保护层；形成在有源区的保护层上的保护膜；以及形成在保护膜上、与集成电路电连接的再布线，其中，当形成在密封环和布线之间的保护层上的槽的纵横比大于等于0.5时，用保护膜覆盖该槽。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 形成 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片，其特征在于包括：多个有源区，在各个所述有源区上形成有集成电路；分割区，所述分割区设置在相邻的所述有源区之间；密封环，所述密封环形成在所述有源区的边缘部上；第一布线，所述第一布线靠近所述密封环的内侧形成；保护层，所述保护层覆盖所述有源区；保护膜，所述保护膜形成在所述有源区的保护层上；以及第二布线，所述第二布线形成在所述保护膜上，与所述集成电路电连接；其中，当在所述密封环和所述第一布线之间的所述保护层上形成的槽的纵横比大于等于0.5时，用所述保护膜覆盖所述槽。
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