[发明专利]控制包括多级单元的闪存器件的回拷贝操作的方法有效
| 申请号： | 200610083603.8 | 申请日： | 2006-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN1881473A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 成镇溶;元参规 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种控制包括多级单元的闪存器件的回拷贝操作的方法。在该方法中，即使没有附加的存储空间仍然可以执行回拷贝操作。因此，可以缩短编程时间并且可以改善闪存器件的操作性能。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 包括 多级 单元 闪存 器件 拷贝 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种控制包括连接到位线和字线的多个多级单元(MLC)的闪存器件的回拷贝操作的方法，该方法包括如下步骤：响应于第一低读控制信号初始化低位寄存器；通过将第一和第二读电压依次地施加给所述多个MLC中的源MLC所连接到的字线，从所述源MLC依次地读第一和第二低位数据，并基于所述第一和第二低位数据将程序数据存储在所述低位寄存器中；确定是否将修改所述程序数据；如果确定将不修改所述程序数据，则第一，响应于第一程序控制信号，将所述程序数据编程到所述多个MLC中的目标MLC中；如果确定将修改所述程序数据，则将所述经修改的程序数据存储在所述低位寄存器中；以及第二，响应于所述第一程序控制信号，将所述经修改的程序数据编程于所述目标MLC中。
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