[发明专利]形成NAND快闪存储器的源接触的方法

摘要

一种形成NAND快闪存储器器件的源接触的方法，包括：在半导体基片上形成隧道氧化物膜，去除源接触将形成其中的区的隧道氧化物膜；形成第一多晶硅层和电介质层，去除选择晶体管将形成其中的区的电介质层；在该区上形成第二多晶硅层，在第二多晶硅层上形成导电膜，在导电膜上形成硬掩膜；用栅掩膜执行蚀刻工艺以蚀刻单元区直至电介质层，同时蚀刻其中将形成源接触的区直到隧道氧化物膜以形成源线；在暴露于源线两侧的半导体基片上执行离子注入工艺；蚀刻单元区和选择晶体管区的电介质层、第一多晶硅层和隧道氧化物膜，形成单元栅和选择晶体管栅；在单元栅和选择晶体管栅及源接触之间掩埋绝缘层，以形成层间绝缘层；蚀刻层间绝缘层所需的区以形成接触。

主权项

1.一种形成NAND快闪存储器的源接触的方法，包括以下步骤：在半导体基片之上形成隧道氧化物膜，及然后去除源接触将形成于其中的区中的所述隧道氧化物膜；在整个结构上形成第一多晶硅层和电介质层，及然后去除选择晶体管将形成于其中的区的所述电介质层；在已去除所述电介质层的区之上形成第二多晶硅层，在所述第二多晶硅层之上形成导电膜；使用栅掩膜来执行蚀刻工艺，以蚀刻单元区直至所述电介质层，并同时蚀刻源接触将形成于其中的区，直到所述隧道氧化物膜，从而形成源线；在暴露于所述源线两侧的所述半导体基片上执行离子注入工艺；顺序地蚀刻所述单元区和所述选择晶体管区的所述电介质层、所述第一多晶硅层和所述隧道氧化物膜，形成单元栅和选择晶体管栅；将绝缘层掩埋在所述单元栅和所述选择晶体管栅及所述源接触之间，及然后在整个结构上形成层间绝缘层；以及蚀刻所述层间绝缘层的所需的区，以形成通过其暴露所述源线的接触。