[发明专利]高密度槽沟金属氧化物场效应管(MOSFET)的源极接触和金属复盖方案无效
| 申请号： | 200610083798.6 | 申请日： | 2006-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1929149A | 公开（公告）日： | 2007-03-14 |
| 发明（设计）人： | 谢福渊 | 申请（专利权）人： | 谢福渊 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天平专利商标代理有限公司 | 代理人： | 赵海生 |
| 地址： | 美国加州沙拉*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一个槽沟金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元包含一个被源极区域环绕著的沟槽栅极，此源极区域包含在一个安排于衬底底部表面上的漏极区域上面的基体区域内。该MOSFET单元进一步包含一个在源区和基体区内开的，侧壁实际垂直于顶部表面的，并用接触金属塞填充的源体接触沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 金属 氧化物 场效应 mosfet 接触 方案 | ||
【主权项】：
1.槽沟金属制的氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)单元包含一个被源极区域环绕著的沟槽栅极，而该源极区域又包含于一个安排在衬底底表面上面的漏极区域之上的基体区内。其中，所述的MOSFET单元进一步包含：一个向源区和体区内部挖的，侧壁实际垂直于顶部表面的，用接触金属塞填充的源体接触沟槽。
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