[发明专利]一种高迁移率各向异性有机场效应管的制备方法无效
| 申请号： | 200610083998.1 | 申请日： | 2006-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN101090148A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 王丛舜;商立伟;涂德钰;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 段成云 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及有机半导体器件领域，一种结合干法刻蚀技术的制备图形化衬底高迁移率各向异性有机场效应管的方法，首先沉积生长第一层有机半导体薄膜，然后通过氧气等离子体干法刻蚀技术把设计好的图形转移到第一层有机薄膜表面上，再沉积生长第二层有机半导体薄膜。其步骤如下：1.在导电基底上制备绝缘介质层；2.在绝缘介质层薄膜表面上沉积生长第一层有机半导体薄膜；3.利用镂空模板采用氧气等离子体干法刻蚀有机薄膜，把设计的模板图形转移到第一层有机薄膜上；4.沉积生长第二层同质有机物薄膜；5.通过镂空的掩模版沉积源漏金属电极，完成各向异性有机场效应管的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 各向异性 有机 场效应 制备 方法 | ||
【主权项】：
1，一种结合干法刻蚀技术的制备图形化衬底高迁移率各向异性有机场效应管的方法，首先沉积生长第一层有机半导体薄膜，然后通过氧气等离子体干法刻蚀技术把设计好的图形转移到第一层有机薄膜表面上，再沉积生长第二层有机半导体薄膜，由于受到第一层有机物表面图形的诱导，第二层有机半导体材料会形成各向异性的薄膜，接着沉积源 漏金属电极，完成高迁移率各向异性的有机场效应晶体管的制备。
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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