[发明专利]有机晶体管、制造半导体器件和有机晶体管的方法有效
| 申请号： | 200610084049.5 | 申请日： | 2006-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN1855573A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 今林良太;古川忍;矶部敦生;荒井康行;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭广迅;林森 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 目的在于形成稠密且具有强绝缘电阻特性的高质量栅绝缘膜，并提出一种其中几乎没有隧道漏电流的高可靠性有机晶体管。本发明的有机晶体管的一个模式具有以下步骤：通过使用稠密等离子体用等离子激活来激活氧(或含氧的气体)或氮(或含氮的气体)等形成将变为栅极的导电层而形成栅绝缘膜，以及直接与将被绝缘的变为栅极的导电层的一部分反应，等离子体中的电子密度是1011cm－3或更大，且电子温度在0.2eV至2.0eV的范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 晶体管 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造包括有机晶体管的半导体器件的方法，该用于制造半导体器件的方法包括：用等离子体形成有机晶体管的绝缘膜，其中电子密度是1011cm-3或更大，电子温度在0.2eV至2.0eV的范围内；和形成包括有机半导体材料的半导体层，以使半导体层与绝缘膜接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610084049.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
