[发明专利]电子束泵激荧光发射装置有效
| 申请号： | 200610084180.1 | 申请日： | 2006-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN1855352A | 公开（公告）日： | 2006-11-01 |
| 发明（设计）人： | 田村清;广崎尚登 | 申请（专利权）人： | 双叶电子工业株式会社;独立行政法人物质·材料研究机构 |
| 主分类号： | H01J29/20 | 分类号： | H01J29/20;H01J31/12;C09K11/78;C09K11/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用通过电子束的轰击发光并具有极佳的发光寿命的荧光体的电子束激励荧光发射装置。该电子束激励荧光体包括由至少形成有铕、硅和氧的AIN晶体或AIN固溶体晶体制备的固溶体，该荧光体用结构式Eua AIbSic Nd Oe表示，其中a+b+c+d+e＝1，且a，b，c，d和e满足以下条件：0.00001≤a≤0.1；0.4≤b≤0.55；0.001≤c≤0.1；0.4≤d≤0.55；0.001≤e≤0.1。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 荧光 发射 装置 | ||
【主权项】：
1、一种具有电子束激励荧光体的电子束激励荧光发射装置，该荧光体包括由至少形成有铕、硅和氧的AIN晶体或AIN固溶体晶体制备的固溶体，并且其通过用电子束照射来发射具有波长峰值在440nm到500nm之间的荧光。
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