[发明专利]半导体装置、电子设备及它们的制造方法有效
| 申请号： | 200610084196.2 | 申请日： | 2006-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1848456A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | 守谷壮一 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有TFT的半导体装置，其能避免在使用液体材料制成的TFT栅电极层端部的绝缘击穿和寄生电容增大。其中包括：在基板上间隔配置的第一和第二电极；与第一和第二电极对置且覆盖第一和第二电极各自的至少一部分而配置的栅电极；配置在第一和第二电极与栅电极相互之间的半导体层；以及配置在栅电极与半导体层相互之间的栅极绝缘层，在栅电极与第一和第二电极重叠的区域上形成的栅极绝缘层的膜厚比形成在第一和第二电极之间上形成的栅极绝缘层的膜厚要厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电子设备 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，包括：在基板上间隔配置的第一及第二电极，与所述第一及第二电极对置且覆盖所述第一及第二电极的各自至少一部分而配置的栅电极，配置在所述第一及第二电极、与所述栅电极相互之间的半导体层，和配置在所述栅电极和所述半导体层相互之间的栅极绝缘层；并且，在所述栅电极、与所述第一及第二电极相重叠的区域上形成的所述栅极绝缘层的膜厚大于在所述第一及第二电极之间上形成的所述栅极绝缘层的膜厚。
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