[发明专利]用于相变存储器件的多位操作方法无效
| 申请号： | 200610084558.8 | 申请日： | 2006-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN1996492A | 公开（公告）日： | 2007-07-11 |
| 发明（设计）人： | 徐东硕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于相变存储器件的多位操作方法，其提供了高的可靠性且能够商用。相变存储器件包括相变电阻器以及分别连接到相变电阻器的相对端的第一和第二电极。在编程操作中，通过沿着从所述第一电极到所述第二电极的方向施加电信号以及沿着从所述第二电极到所述第一电极的反向施加电信号将所述相变电阻器的电阻改变成至少四种状态之一。在读取操作中，通过沿着任意方向在所述第一电极和所述第二电极之间施加电信号读取所述相变电阻器的编程电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 相变 存储 器件 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于相变存储器件的多位操作方法，该相变存储器件包括相变电阻器以及分别连接到所述相变电阻器的相对端的第一电极和第二电极，所述方法包括：编程操作，其中，通过沿着从所述第一电极到所述第二电极的方向施加电信号以及沿着从所述第二电极到所述第一电极的方向施加电信号将所述相变电阻器的电阻改变成至少四种状态之一；以及读取操作，其中，通过沿着任意方向在所述第一电极和所述第二电极之间施加电信号读取所述相变电阻器的编程电阻。
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