[发明专利]电可擦除可编程只读存储器单元及其制造方法有效
| 申请号： | 200610084726.3 | 申请日： | 2006-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1881615A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 徐子轩;施彦豪;李明修 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种不对称掺杂存储单元在P型衬底上具有第一和第二N型重掺杂结。复合式电荷捕获层位于该P型衬底之上，并介于该第一和该第二N型重掺杂结之间。N型轻掺杂区域邻接于该第一N型重掺杂结，并位于该复合式电荷捕获层下方。P型轻掺杂区域邻接于该第二N型重掺杂结，并位于该复合式电荷捕获层下方。该不对称掺杂存储单元将电荷储存在该复合式电荷捕获层位于该P型轻掺杂区域上方的那一端。该不对称掺杂存储单元可以作为电可擦除可编程只读存储器单元，并且可以进行多级单元操作。本发明同时描述这种不对称掺杂存储单元的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 擦除 可编程 只读存储器 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储单元，包括：衬底；该衬底上的第一和第二杂质掺杂结，该第一和该第二杂质掺杂结具有第一极性；复合式电荷捕获层，将其限定在该衬底之上，并介于该第一和该第二杂质掺杂结之间，其中该复合式电荷捕获层含有电荷捕获层，且该电荷捕获层为两个电介质层之间的夹层；第一杂质掺杂区域，将其设置成邻接于该第一杂质掺杂结且位于该复合式电荷捕获层下方，并且具有该第一极性；以及第二杂质掺杂区域，将其设置成邻接于该第二杂质掺杂结且位于该复合式电荷捕获层下方，并且具有第二极性，其中该第二极性与该第一极性相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610084726.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
