[发明专利]形成欧姆接触层的方法和制造具有其的发光器件的方法有效
| 申请号： | 200610084821.3 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1866564A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 赵济熙;林东皙;成泰连;孙哲守 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制造欧姆接触层的方法和制造具有该欧姆接触层的顶发射型氮化物基发光器件的方法。制造欧姆接触层的方法包括：在半导体层上形成第一导电材料层；在所述第一导电材料层上形成包括多个纳米尺寸岛的掩模层；在所述第一导电材料层上和掩模层中的岛上形成第二导电材料层；和使用溶剂通过剥离工艺去除所述岛上的第二导电材料部分。该方法保证了维持好的电学特性和增加光出射效率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 欧姆 接触 方法 制造 具有 发光 器件 | ||
【主权项】：
1、一种制造欧姆接触层的方法，该欧姆接触层用于发光器件并包括第一导电材料层和具有相应于岛的通孔的第二导电材料层，该方法包括：在半导体层上形成第一导电材料层；在所述第一导电材料层上形成包括多个纳米尺寸的岛的掩模层；在所述第一导电材料层上和掩模层中的岛上形成第二导电材料层；和使用溶剂通过剥离工艺去除所述岛上的第二导电材料部分和所述岛。
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