[发明专利]膜图案的形成法、有源矩阵基板、电光装置、电子仪器无效
申请号: | 200610084866.0 | 申请日: | 2006-05-23 |
公开(公告)号: | CN1870250A | 公开(公告)日: | 2006-11-29 |
发明(设计)人: | 守屋克之;平井利充 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;H05B33/10 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在基板P上形成划分具有第1图案形成区域(52、53)和由交叉部(56)分开的第2图案形成区域(55)的图案形成区域的围堰(51)。而且,在第1图案形成区域(52、53)内形成第1膜图案、在第2图案形成区域内形成第2膜图案后,对基板的全面实施疏液处理。其后,选择地保持第2膜图案的各规定位置的疏液性的情况下、降低基板上的疏液性。在第1膜图案和第2膜图案上层叠盖层,除去第2膜图案的各规定位置的疏液性,使各规定位置之间由导电膜连接。在分开的图案形成区域内形成具有盖层的膜图案时,通过使其形成工序简单化,提供可以提高膜图案的生产率的膜图案的形成方法、有源矩阵基板、电光学装置和电子仪器。 | ||
搜索关键词: | 图案 形成 有源 矩阵 电光 装置 电子仪器 | ||
【主权项】:
1.一种膜图案的形成方法,将功能液配置在设在基板上的由围堰划分的图案形成区域内而形成膜图案,其中,具备以下工序:在上述基板上形成划分图案形成区域的围堰的工序,所述图案形成区域具备第1图案形成区域和与该第1图案形成区域交叉、并在该交叉部中分开的第2图案形成区域;通过将功能液配置在上述第1图案形成区域内而作为第1膜图案、将功能液配置在上述第2图案形成区域内而作为第2膜图案的工序;对包括上述第1膜图案、上述第2膜图案、以及上述围堰的基板的全面,实施疏液处理的工序;其后,在选择性地保持以分开的状态形成的上述第2膜图案的各自的规定位置的疏液性的情况下、降低上述基板上的疏液性的工序;降低疏液性后,在上述第1膜图案和上述第2膜图案上层叠盖层的工序;层叠了上述盖层后,除去以分开的状态形成的第2膜图案的各自的规定位置的疏液性的工序;和在上述各规定位置之间形成导电膜、电连接以分开的状态形成的第2膜图案的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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